CSD17578Q3AT / SMD / SMT / 텍사스 인스트루먼츠 사 / VSONP-8 / 모스페트스
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6.2 상표
네스페트, E2E는 텍사스 인스트루먼츠 사의 상표입니다.
다른 모든 상표는 그들의 각각 소유자들의 부동산입니다.
| 제품 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 텍사스 인스트루먼츠 사 | |
| 상품 카테고리 : | MOSFET |
| 로에스 : | 세부 사항 |
| Si | |
| SMD / SMT | |
| VSONP-8 | |
| 엔-채널 | |
| 1개 채널 | |
| 30 Ｖ | |
| 20 A | |
| 8.2 모엠에스 | |
| - 20 Ｖ, + 20 Ｖ | |
| 1.5 Ｖ | |
| 7.9 nC | |
| - 55 Ｃ | |
| + 150 Ｃ | |
| 37 Ｗ | |
| 향상 | |
| 네스페트 | |
| CSD17578Q3A | |
| 릴 | |
| 컷 테이프 | |
| 마우스릴 | |
| 브랜드 : | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
| 구성 : | 단일 |
| 강하 시간 : | 1 나노 초 |
| 앞으로 상호컨덕턴스 - 민 : | 48 Ｓ |
| 높이 : | 0.9 밀리미터 |
| 길이 : | 3.15 밀리미터 |
| 상품 종류 : | MOSFET |
| 상승 시간 : | 6 나노 초 |
| 양 공장 팩 : | 250 |
| 하위범주 : | MOSFET |
| 트랜지스터형 : | 1 엔-채널 |
| 전형적 정지 지연 시간 : | 13 나노 초 |
| 전형적 턴 온 지연 시간 : | 2 나노 초 |
| 폭 : | 3 밀리미터 |
| 단일 가중치 : | 0.000967 온스 |
