REF02BU / SOIC-8 / 전원관리 ICs
특징
오우는 자동차 애플리케이션의 설계를 했고 AEC-Q101이 자격을 주었습니다
오우 패스트 리커버리 바디 다이오드
오우 극단적으로 낮은 게이트전하와 입력 커패시턴스
오우 낮은 온 저항
시험된 오우 100% 쇄도
보호된 오우 극단적으로 높은 드프 / dt 거침성 오우 제너
| 제품 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 스트미크로일렉트로닉스 | |
| 상품 카테고리 : | MOSFET |
| Si | |
| SMD / SMT | |
| D2PAK-3 | |
| 엔-채널 | |
| 1개 채널 | |
| 600 Ｖ | |
| 34 A | |
| 93 모엠에스 | |
| - 20 Ｖ, + 20 Ｖ | |
| 3 Ｖ | |
| 56 nC | |
| - 55 Ｃ | |
| + 150 Ｃ | |
| 250 Ｗ | |
| 향상 | |
| AEC-Q101 | |
| 마드메쉬 | |
| STB45N60DM2AG | |
| 릴 | |
| 컷 테이프 | |
| 마우스릴 | |
| 브랜드 : | 스트미크로일렉트로닉스 |
| 구성 : | 단일 |
| 강하 시간 : | 6 나노 초 |
| 높이 : | 4.6 밀리미터 |
| 길이 : | 10.4 밀리미터 |
| 제품 : | 파워 모스펫 |
| 상품 종류 : | MOSFET |
| 상승 시간 : | 27 나노 초 |
| 양 공장 팩 : | 1000 |
| 하위범주 : | MOSFET |
| 트랜지스터형 : | 1 엔-채널 파워 모스펫 |
| 타이핑하세요 : | 고전압 |
| 전형적 정지 지연 시간 : | 85 나노 초 |
| 전형적 턴 온 지연 시간 : | 29 나노 초 |
| 폭 : | 9.35 밀리미터 |
| 단일 가중치 : | 0.139332 온스 |
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