SI1900DL-T1-E3 / SOT-363-6 / 이산 반도체
기술
오우 무할로겐 IEC 61249-2-21 정의에 따라
오우 TrenchFET® 파워 모스펫
로에스 지시 2002/95/EC에 순응한 오우
| 제품 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 비샤이 | |
| 상품 카테고리 : | MOSFET |
| 로에스 : | 세부 사항 |
| Si | |
| SMD / SMT | |
| SOT-363-6 | |
| 엔-채널 | |
| 2개 채널 | |
| 30 Ｖ | |
| 630 마 | |
| 480 모엠에스 | |
| - 20 Ｖ, + 20 Ｖ | |
| 1 Ｖ | |
| 1.4 nC | |
| - 55 Ｃ | |
| + 150 Ｃ | |
| 300 mW | |
| 향상 | |
| 트렌치페트 | |
| SI1 | |
| 릴 | |
| 컷 테이프 | |
| 마우스릴 | |
| 브랜드 : | 비샤이 반도체 |
| 구성 : | 듀얼 |
| 높이 : | 1 밀리미터 |
| 길이 : | 2.1 밀리미터 |
| 상품 종류 : | MOSFET |
| 양 공장 팩 : | 3000 |
| 하위범주 : | MOSFET |
| 폭 : | 1.25 밀리미터 |
| 부분 # 가칭 : | SI1900DL-E3 |
| 단일 가중치 : | 0.000265 온스 |
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