DMN55D0UT-7 / SOT-523-3 / MOSFET
기술
이 MOSFET은 온-상태 저항 (RDS(ON))를 최소화하도록 설계됩니다 그리고 아직 그것을 고효율 전력 관리 어플리케이션에 이상적이게 하면서, 뛰어난 접속품질을 유지하세요.
| 제품 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 다이오드는 결합했습니다 | |
| 상품 카테고리 : | MOSFET |
| Si | |
| SMD / SMT | |
| SOT-523-3 | |
| 엔-채널 | |
| 1개 채널 | |
| 50 Ｖ | |
| 160 마 | |
| 4 오옴 | |
| - 12 Ｖ, + 12 Ｖ | |
| 700 mV | |
| 295 pC | |
| - 55 Ｃ | |
| + 150 Ｃ | |
| 200 mW | |
| 향상 | |
| DMN55 | |
| 릴 | |
| 컷 테이프 | |
| 마우스릴 | |
| 브랜드 : | 다이오드는 결합했습니다 |
| 구성 : | 단일 |
| 앞으로 상호컨덕턴스 - 민 : | 180 mS |
| 높이 : | 0.75 밀리미터 |
| 길이 : | 1.6 밀리미터 |
| 제품 : | MOSFET 소신호 |
| 상품 종류 : | MOSFET |
| 양 공장 팩 : | 3000 |
| 하위범주 : | MOSFET |
| 트랜지스터형 : | 1 엔-채널 |
| 폭 : | 0.8 밀리미터 |
| 단일 가중치 : | 0.000071 온스 |
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