BSC010N04LS / TDSON-8 / 이산 반도체
오옵티미즈드포르스리크로누스레크티픽레이션
오버리로원 -리지스턴스르드스 (계속)
o100%avalanchetested 오수페리오르테르말리지스턴스
채널 상에, 로그릭레벨
oQualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication
오피비 -프리리드플라팅 ;로슈컴플라트
oHalogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
오하이에르소펠데르주앵트엘리아빌리티듀토엔라르게드소스인터커넥션
| 제품 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 인피네온 | |
| 상품 카테고리 : | MOSFET |
| Si | |
| SMD / SMT | |
| TDSON-8 | |
| 엔-채널 | |
| 1개 채널 | |
| 40 Ｖ | |
| 100 A | |
| 1 모엠에스 | |
| - 20 Ｖ, + 20 Ｖ | |
| 1.2 Ｖ | |
| 95 nC | |
| - 55 Ｃ | |
| + 150 Ｃ | |
| 139 Ｗ | |
| 향상 | |
| 옵티모스 | |
| 옵티모스 5 | |
| 릴 | |
| 컷 테이프 | |
| 마우스릴 | |
| 브랜드 : | 인피니언 테크놀러지 |
| 구성 : | 단일 |
| 개발 키트 : | EVAL-600W-12V-llc-a, EVAL_600W_12V_LLC_CFD7, EVAL_600W_12V_LLC_P7, KIT_600W_LLC_DI_CTRL |
| 강하 시간 : | 9 나노 초 |
| 앞으로 상호컨덕턴스 - 민 : | 140 Ｓ |
| 높이 : | 1.27 밀리미터 |
| 길이 : | 5.9 밀리미터 |
| 상품 종류 : | MOSFET |
| 상승 시간 : | 12 나노 초 |
| 양 공장 팩 : | 5000 |
| 하위범주 : | MOSFET |
| 트랜지스터형 : | 1 엔-채널 |
| 전형적 정지 지연 시간 : | 46 나노 초 |
| 전형적 턴 온 지연 시간 : | 10 나노 초 |
| 폭 : | 5.15 밀리미터 |
| 부분 # 가칭 : | SP000928282 BSC010N04LSATMA1 |
| 단일 가중치 : | 0.003527 온스 |
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