CC1312R1F3RGZR / VQFN-48 / RF 마이크로컨트롤러 - MCU
심플링크 " CC1312R 장치는 다중 프로토콜 Sub-1 기가헤르츠 무선 마이크로컨트롤러 (MCU) 서포트인스이이 802.15.40입니다. IPv6-가능한 현명한 오비에크츠 (6LoWPAN). the15.4-Stack (Sub-1 GHz)를 포함하는 MIOTY, 위-SUN, 독점 체제. 기기는 보안 시스템과 공조, 전자식 전력량계, 의학적이, 유선 네트워킹, 가지고 다닐 수 있는 일렉트로닉스홈 극장 & 엔터테인먼트와 연결된 주변기기 시장을 구축함에 있어 저전력 무선 통신에 대해 최적화되고 아드밴스크센싱. 이 데비스인클웨이드의 돋보이는 특징 :
산업 기준 주파수대 (315 마하즈, 433 마하즈, 868 마하즈를 지원하는 오우 탄력적 Sub-1 기가헤르츠 전파.
인더스트리얼에 대한 필요를 충족시키기 위한 900 마하즈와 많습니다).
완전한 심플링크티엠 15.4-스택 (Sub-1 GHz) 솔루션을 포함하는 심플링크티엠 CC13x2와 CC26x2 소프트웨어 발전 장비(SDK)의 프로토콜 스택 지지체의 오우 넓은 유연성.
24.9 마 전류 소모와 Sub-1 기가헤르츠에 있는 +14 데이터 베이스 관리 프로그램의 오우 최대 송신 전력.
0.85 uA와 가득 찬 RAM 보유의 저-대기 전류와 오우 긴 배터리 수명 무선 어플리케이션.
105' Ｃ에 있는 11 uA의 가장 낮은 대기 전류로 준비된 오우 산업적 온도.
오우는 프로그램 가능한 것과 감지를 진보시켰으며, 빠른 슬립 해제 능력으로 자율적 극히 낮은 전력 센서 제어기 CPU. 한 예로, 센서 제어기는 1 uA 시스템 전류에 1-HZ ADC 샘플링을 할 수 있습니다.
오우 최저치 시리얼 번호 (소프트 에러율) 적합성 (실패 시간) 잠재적 방사 동작 때문의 부패에 대한 상시 켜짐 SRAM 패리티와 산업용품 시장을 위한 어떤 혼란 없이 긴 연산 일생을 위해.
오우 전용 소프트웨어는 다중 물리 계층과 RF 표준을 지원하기 위해 무선 컨트롤러 (Arm® Cortex®-M0) 공급 탄력적 저동력 무선 송수신기 능력을 제어했습니다.
오우 우수한 라디오 민감도 (-121 데이터 베이스 관리 프로그램)과 견고성 (선택성과 심플링크티엠 장거리 모드에 대한 블로킹) 성능.
CC1312R 장치는 모두가 공통 사용하기 쉬운 개발 환경을 하나의 핵 소프트웨어 개발 도구 (SDK)와 부유한 공구 세트와 공유하는 것이 Wi-Fi®와 블루투스 로우 에너지, 스레드, 지그비, Sub-1 기가헤르츠 MCU와 호스트 맥스를 이루어지는 심플링크티엠 MCU 플랫폼의 일부입니다. 심플링크티엠 플랫폼의 한번 통합은 당신이 당신의 설계 요구 사항이 변할 때 100 퍼센트 코드 재사용을 허락하면서, 포트폴리오의 기기의 어떠한 조합도 당신의 설계에 부가할 수 있게 합니다. 더 많은 정보를 원하면 심플링크티엠 MCU 플랫폼을 방문하세요.
| 제품 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 텍사스 인스트루먼츠 사 | |
| 상품 카테고리 : | RF 마이크로컨트롤러 - MCU |
| 팔 외피 M4F | |
| 527 마하즈에 대한 431 마하즈, 1054 마하즈에 대한 861 마하즈, 1329 마하즈에 대한 1069 마하즈 | |
| 32개 비트 | |
| 352 kB | |
| 80 kB | |
| 48 마하즈 | |
| 12개 비트 | |
| 1.8 Ｖ | |
| 3.8 Ｖ | |
| + 85 Ｃ | |
| VQFN-48 | |
| SMD / SMT | |
| 릴 | |
| 컷 테이프 | |
| 마우스릴 | |
| 브랜드 : | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
| 데이터 램 종류 : | SRAM |
| 인터페이스 타입 : | I2C, I2S, SSI, UART |
| 최소 동작 온도 : | - 40 Ｃ |
| 민감한 수분 : | 예 |
| I/Os의 수 : | 30 입출력 |
| 작동 공급 전압 : | 1.8 3.8 Ｖ에 대한 Ｖ |
| 상품 종류 : | RF 마이크로컨트롤러 - MCU |
| 프로그램 메모리 종류 : | 플래시 |
| 시리즈 : | CC1312R |
| 양 공장 팩 : | 2500 |
| 하위범주 : | 무선 전신과 RF 집적 회로 |
| 기술 : | Si |
| 단일 가중치 : | 0.007055 온스 |
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