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맞춤형 집적 회로를 뒤집는 ISO5452QDWRQ1 절연 게이트 드라이버

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맞춤형 집적 회로를 뒤집는 ISO5452QDWRQ1 절연 게이트 드라이버
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풍모
제품 사양
작동 공급전류: 2.8 마
출력 전류: 5 A
출력 전압: 30 V에 대한 15 V
전력 소모: 1.255 W
날짜 코드: 22+
포장 세부 사항: 표준 / 새로운 / 원형
하이 라이트:

ISO5452QDWRQ1 절연 게이트 드라이버

,

ISO5452QDWRQ1 맞춤형 집적 회로

기본 정보
원래 장소: 필리핀
브랜드 이름: TI
모델 번호: ISO5452QDWRQ1
결제 및 배송 조건
포장 세부 사항: SOIC-16
배달 시간: 주식에서
지불 조건: L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
공급 능력: 연락주세요
제품 설명

ISO5452QDWRQ1 / 절연 게이트 드라이버 2.5-A/5-A 아이소p 시브트 mosfet 게이트 드라이버

 

제품 속성 속성 값
텍사스 인스트루먼츠 사
상품 카테고리 : 절연 게이트 드라이버
로에스 : 세부 사항
브랜드 : 텍사스 인스트루먼츠 사
구성 : 뒤집으면서, 반전시키지 않기
강하 시간 : 20 나노 초
특징 : DESAT 보호, 분리 출력, 밀러 클램프, 전력 상태 양호, 송신 출력 이상, 리셋, 부드러운 턴오프
최대 작업 온도 : + 125 C
최소 동작 온도 : - 40 C
민감한 수분 :
증가하는 방식 : SMD / SMT
운전자들의 번호 : 1개 드라이버
출력의 수 : 1개 출력
작동 공급전류 : 2.8 마
출력 전류 : 5 A
출력 전압 : 30 V에 대한 15 V
패키지 / 건 : SOIC-16
패키징하는 것 :
패키징하는 것 : 컷 테이프
패키징하는 것 : 마우스릴
Pd - 전력 소모 : 1.255 W
제품 : 절연 게이트 드라이버
상품 종류 : 절연 게이트 드라이버
전달 지연 - 맥스 : 110 나노 초
자격 : AEC-Q100
상승 시간 : 18 나노 초
시리즈 : ISO5452-Q1
중단 : 중단

양 공장 팩 :

2000
하위범주 : PMIC - 전원관리 ICs
공급 전압 - 맥스 : 5.5 V
공급 전압 - 민 : 2.25 V
기술 : Si
단일 가중치 : 0.026769 온스

 

애플리케이션

오우 고립된 IGBT와 다음의 MOSFET 드라이브

- 헤브와 EV 전력 모듈

- 산업용 모터 드라이브 제어

- 산업 권력 공급

- 태양 인버터

- 유도 가열

 

맞춤형 집적 회로를 뒤집는 ISO5452QDWRQ1 절연 게이트 드라이버 0

 
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