| 전류 한계 | 405 마 |
|---|---|
| 저항 - 맥스에 | 1.2 오옴 |
| 작동 공급 전압 | 57 Ｖ에 대한 0 Ｖ |
| 듀티 싸이클 - 맥스 | 78 % |
| 날짜 코드 | 22+ |
| 상품 카테고리 | 아이솔레이션 증폭기 |
|---|---|
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 패키지 / 건 | SON-8 |
| 입력 전압, 민 | 2.9 Ｖ |
| 입력 전압, 맥스 | 6 Ｖ |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| 개발 키트 | TPS53513EVM-587 |
| 높이 | 1 밀리미터 |
| 길이 | 4.5 밀리미터 |
| 폭 | 3.5 밀리미터 |
| 입력 전압 | 65 Ｖ에 대한 3 Ｖ |
|---|---|
| 출력 전압 | 100 Ｖ에 대한 3 Ｖ |
| 출력 전류 | 20 A |
| 전환 주파수 | 1 마하즈에 대한 50 킬로 헤르츠 |
| 날짜 코드 | 22+ |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| 전압 정격 | 4 VDC 내지 80 VDC |
| 전류 등급 | 1.2mA |
| 패키지 / 건 | DFN-12 |
| 작동 온도 | - + 85 Ｃ에 대한 40 Ｃ |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| Vds - 드레인-소스 항복 전압 | 50 Ｖ |
| ID - 연속배수 경향 | 160 마 |
| Rds에 - 드레인-소스 저항 | 4 오옴 |
| 브그스 - 게이트-소스 전압 | - 12 Ｖ, + 12 Ｖ |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| 패키지 / 건 | SOIC-8 |
| 출력 전류 | 1.5 A |
| 공급 전압 - 맥스 | 24 Ｖ |
| 작동 온도 | - 40℃ ~ +150℃ |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| 상품 카테고리 | MOSFET |
| 패키지 / 건 | D2PAK-3 |
| 트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
| 채널 수 | 1개 채널 |
| 포장 세부 사항 | 표준 / 새로운 / 원형 |
|---|---|
| 상품 카테고리 | MOSFET |
| 기술 | Si |
| 브그스 - 게이트-소스 전압 | - 20 Ｖ, + 20 Ｖ |
| 최소 동작 온도 | - 55 Ｃ |
| 상품 카테고리 | MOSFET |
|---|---|
| 기술 | Si |
| 상품 종류 | MOSFET |
| 하위범주 | MOSFET |
| 날짜 코드 | 22+ |
